利用第一性原理研究Ge:Si电子结构与光学性质

• 作者: 刘芳 李亮 杨宇 杨瑞东 熊飞 王茺
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 SiGe 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2009,（14）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 4370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.14.022

摘要

采用基于密度泛函理论的平面渡超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度.计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小.还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	刘芳	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	13	25	3.0	4.0
4	李亮	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	9	41	3.0	6.0
5	熊飞	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	3	12	2.0	3.0