缓冲层生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜结构及电学性能的影响

• 作者: 傅军 宋航 张铁民 李志明 缪国庆 蒋红 颜丽娜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 缓冲层 生长温度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 787-791
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1|O472.4
• 字数: 1656字
• 语种: 中文

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_(0.82)Ga_(0.18)As材料.研究缓冲层的生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜的结构及电学性能的影响.固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470 ℃),且维持缓冲层其他生长条件不变.用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76.测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变.通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜的结构及电学性能.最佳的缓冲层生长温度为450 ℃.