Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

• 作者: 丁士进 张卫 许军 黄宇健
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高介电常数 MIM电容 HfO2薄膜 电极
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3433-3436
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.087

摘要

以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫	专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院	3	13	2.0	3.0
2	许军	专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院	1	2	1.0	1.0
3	黄宇健	专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院	1	2	1.0	1.0
4	丁士进	专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院	2	13	2.0	2.0