异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响

• 作者: 张金凤 郝跃 高志远
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 缺陷结构 表面形貌 生长机理
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TN304.2
• 字数: 4053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.04.001

摘要

通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张金凤	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	16	87	7.0	8.0
3	高志远	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	31	4.0	5.0