介质表面高功率微波击穿的数值模拟

• 作者: 王建国 蔡利兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 介质表面击穿 高功率微波 数值模拟 次级电子倍增
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 3268-3273
• 页数: 6页
• 分类号: O53
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.062

摘要

研究了用于模拟高功率微波条件下介质表面击穿的静电PIC-MCC模型,并通过自行编写的数值模拟程序模拟了真空及不同气压条件下介质表面击穿过程中的次级电子倍增和气体电离等过程.模拟结果发现,在真空及低气压条件下,电子的主要来源是次级电子倍增,电子数量以两倍于入射场的频率振荡;在高气压情况下,电子的主要来源是气体电离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建国		123	908	14.0	23.0
3	蔡利兵		15	91	6.0	8.0