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摘要:
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50nm SOI-DTMOS器件的性能
50nm
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Incorporation of silica into the goethite structure: a microscopic and spectroscopic study
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Northeastern China
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 34-38
页数 5页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.1088/1674-4926/30/2/024002
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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