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摘要:
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Rock chemical weathering by sulfuric acid: pathway, method and prospect
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Sulfuric acid
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Sulfate isotope
GaN薄膜表面缺陷密度的提取
氮化镓薄膜
缺陷
密度提取
二值化
数学形态学
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 26-29
页数 4页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.1088/1674-4926/30121023003
五维指标
传播情况
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引文网络
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1997(1)
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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