SiC MESFET工艺技术研究与器件研制

• 作者: 冯震 商庆杰 杨霏 潘宏菽 陈昊 霍玉柱 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 549-552
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.008

摘要

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB.