缺陷接地结构抑制微波器件谐波

• 作者: 吕英华 张金玲 李宁 杨金生 郑占奇
• 来源期刊: 电波科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波电路 缺陷接地结构 谐波抑制
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 546-550
• 页数: 5页
• 分类号: TN817
• 字数: 1320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0388.2009.03.033

摘要

对目前应用于微波设计领域的缺陷接地结构(Defected Ground Structure,简称 DGS)进行了介绍,通过电磁场分析软件对非对称DGS进行了分析和优化;根据DGS在某些频率点上的谐振特性,充分利用其带阻特性抑制谐波分量,设计出一种非对称DGS,对工作在S波段2.45 GHz的微波功率器件的二次谐波、三次谐波进行了有效地抑制,在4.9 GHz和7.35 GHz正向传榆系数分别是-14.32 dB和-12.1 dB,仿真和测试结果表明,非对称DGS可以抑制微波器件谐波,有效地提高微波功率器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕英华		118	924	15.0	23.0
2	杨金生		29	80	5.0	7.0
3	张金玲		46	213	9.0	11.0
4	李宁		15	57	5.0	7.0
5	郑占奇		2	18	2.0	2.0