碲铟汞多晶料合成与晶体生长

• 作者: 介万奇 王领航
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 碲铟汞 晶体生长 垂直Bridgman法 半导体材料 近红外光电探测器
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 129-132
• 页数: 4页
• 分类号: O782|TN304.2
• 字数: 2898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.027

摘要

以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ 15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明,所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王领航	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	11	41	5.0	5.0