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摘要:
采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀金刚石结构多晶Ge靶材, 选取合适的靶与衬底间的距离、氩气压力以及沉积时间, 在单晶Si(100)衬底上首次制备了四方结构的Ge纳米颗粒, 扫描电子显微镜表征显示这些Ge纳米颗粒有橄榄球状的外形. 透射电子显微镜和选区电子衍射结果显示, 这些橄榄球状的Ge纳米颗粒是四方结构的单晶. 而这些Ge纳米颗粒的形成是由于脉冲激光击打Ge靶产生的小的团簇在局域高温的作用下生成四方结构的团簇, 而这些四方结构的团簇和Ar气原子发生碰撞并聚集到一起形成橄榄球状Ge纳米颗粒.
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文献信息
篇名 脉冲激光烧蚀制备四方结构的橄榄球状Ge纳米颗粒
来源期刊 稀有金属 学科 物理学
关键词 脉冲激光烧蚀 橄榄球状 Ge纳米颗粒 四方结构
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 846-849
页数 4页 分类号 O47
字数 1611字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜军 75 496 13.0 17.0
2 王磊 38 221 9.0 12.0
3 朱世伟 3 3 1.0 1.0
4 陈兴 3 3 1.0 1.0
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