表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

• 作者: 刘宏 夏宗仁 姚淑华 左致远 王继扬 颜涛
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 钽酸锂 还原 电导率 压电性能 介电性能
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 713-717
• 页数: 5页
• 分类号: O738
• 字数: 3958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.05.021

摘要

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	颜涛	山东大学晶体材料国家重点实验室	8	31	4.0	5.0
3	刘宏	山东大学晶体材料国家重点实验室	76	778	13.0	26.0
4	姚淑华	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	31	4.0	5.0
5	左致远	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	5	1.0	1.0