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摘要:
研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率.利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件.选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声.测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz.
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文献信息
篇名 X波段介质振荡器的设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 介质谐振器 谐振法 振荡器 相位噪声
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 集成电路设计与开发
研究方向 页码范围 193-196
页数 4页 分类号 TN572
字数 1816字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘伟 电子科技大学电子工程学院 57 253 9.0 12.0
2 唐宗熙 电子科技大学电子工程学院 44 380 10.0 18.0
3 张彪 电子科技大学电子工程学院 26 273 9.0 16.0
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研究主题发展历程
节点文献
介质谐振器
谐振法
振荡器
相位噪声
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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