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摘要:
为满足数字多媒体技术的应用需要,设计了一种1 M×16 bit的嵌入式掩膜只读存储器,研究了各功能模块的原理、性能优化方案以及大容量、高速、低功耗的高性能嵌入式Mask-ROM设计方法.该型Mask-ROM采用0.18 μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,访问时间约为30 ns(33 MHz),单位功耗为1.09 mW/MHz.
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文献信息
篇名 嵌入式MaskROM的设计研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 专用集成电路 CMOS 掩膜只读存储器 嵌入式
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 纳米、固态及真空电子器件
研究方向 页码范围 83-86
页数 4页 分类号 TN495
字数 2473字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.01.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 戴庆元 上海交通大学微纳科学技术研究院 65 299 10.0 13.0
2 方利 上海交通大学微纳科学技术研究院 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
专用集成电路
CMOS
掩膜只读存储器
嵌入式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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