中低应变量冷轧AA1050铝合金中晶粒取向与形变位错界面的演变

• 作者: A.Godfrey 刘伟 刘庆 姚宗勇
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝合金 冷轧 电子背散射衍射 位错界面结构
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 641-646
• 页数: 6页
• 分类号: TG335.12
• 字数: 2883字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2009.06.001

摘要

采用ECC和EBSD技术研究了AA1050铝合金冷轧至中低应变量下位错界面结构的演变. 结果表明,冷轧至中低应变量下形成典型的位错胞块结构,其微观组织结构强烈依赖于晶粒的取向.变形后主要形成三种典型的组织结构:Type A--两组交叉的几何必须位错界面(GNBs)结构,Type B--一组GNBs结构,Type C--近似等轴的普通胞状结构. 绝大多数Copper,Br88s和Goss取向的晶粒具有Type A结构,S取向的晶粒具有Type B结构,而Cube取向的晶粒主要具有Type C结构.变形过程中的GNBs不仅具有与RD成土(30°-40°)的宏观取向,而且大多数GNBs位错界面近似平行于由最大Schmid因子所确定的{111}滑移面的迹线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟	清华大学材料科学与工程系	109	766	14.0	22.0
2	刘庆	清华大学材料科学与工程系	29	398	9.0	19.0
6	A.Godfrey	清华大学材料科学与工程系	5	56	4.0	5.0
7	姚宗勇	清华大学材料科学与工程系	2	38	2.0	2.0