HgInTe晶片表面化学抛光研究

• 作者: 介万奇 傅莉 杨杨 王亚彬 王领航
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HgInTe 化学抛光 腐蚀速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 535-538
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2263字
• 语种: 中文

摘要

对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果.AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加.相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	傅莉	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	75	535	14.0	20.0
3	王亚彬	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	10	2.0	3.0
4	王领航	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	11	41	5.0	5.0
5	杨杨	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	5	1.0	2.0