低压沉积温度对MoSi2涂层微观结构与性能影响

• 作者: 付前刚 何子博 吴恒 李贺军 王永杰 魏建锋
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD MoSi2涂层 微观结构 性能 沉积温度
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 392-396
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00392

摘要

以SiCl4和H2为原料,采用低压化学气相沉积(LPCVD)渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层,研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响.研究结果表明:在1100～1200℃下制备的涂层结构致密,由单一MoSi2组成,沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势;当沉积温度高于1200℃,涂层出现开裂现象,由游离Si和MoSi2两相组成,涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势.1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应,而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用.