一种用于LDO的BiCMOS带隙基准

• 作者: 刘正军 常昌远 赵宁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: BiCMOS带隙基准 低压差稳压器 运算放大器
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.01.019

摘要

提出了一种基于传统基准源的改进带隙基准.该电路采用0.6 μm BiCMOS工艺实现,用于低压差线性稳压器.由于没有使用运算放大器以及非线性补偿技术,因此,该基准电路结构简单,面积小,电源电压为2.5 V时功耗低达12.5 μW.在-40～125℃温度范围内温度系数为22.2×10-6/℃,线性调整率为0.01%/V.当外接0.47 μF的滤波电容后,在1 kHz频率时电源抑制比为135 dB,在200 Hz和100 kHz频率时噪声功率谱密度分别为7.4 V/Hz和6.7 pV/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵宁	东南大学微电子中心	27	97	6.0	8.0
2	常昌远	东南大学微电子中心	50	471	14.0	19.0
3	刘正军	东南大学微电子中心	4	6	2.0	2.0