PHEMT MMIC功率放大器设计与实现

• 作者: 邢凌燕 黄晓俊
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 功率放大器 增益
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 171-173
• 页数: 3页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.07.052

摘要

介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案.方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点.将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指标可以满足设计预期的期望值,同时证明了方案的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄晓俊		12	25	3.0	4.0
2	邢凌燕		1	2	1.0	1.0