考虑制程变异的全芯片漏电流统计分析

• 作者: 余志平 李涛
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 统计分析 制程变异 漏电流模型 变异源
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 578-580,585
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文

摘要

为了解决在制程变异的影响下,全芯片漏电流很难被验证的难题,提出了基于新的漏电流模型的统计分析算法.建立了一个亚阈值漏电流模型以及它的参数提取方法.该模型不仅包含了小尺寸器件的量子效应和应力效应,而且能够很好地与实验数据拟合.65nm工艺节点下由于制程变异而引起的亚闻值漏电流波动表明,主要的变异源为有效沟道长度和阚值电压的变化.模型和对变异源的研究,验证了全芯片漏电流.模拟结果和实际电路测试结果的比较,证明了该算法的正确性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平		45	158	7.0	10.0
2	李涛		40	593	13.0	24.0