多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究

• 作者: 孙凤云 孙鹏 李东海 胡明 陈鹏
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: NO2气体传感器 多孔硅 灵敏度 孔隙率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 71-74
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2009.04.017

摘要

以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6～6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	天津大学电子信息工程学院	33	223	8.0	13.0
2	孙凤云	天津大学电子信息工程学院	5	36	4.0	5.0
3	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
4	孙鹏	天津大学电子信息工程学院	12	165	7.0	12.0
5	李东海	天津大学电子信息工程学院	3	21	3.0	3.0