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摘要:
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InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究
InP
双异质结晶体管
自对准
一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法
InP双异质结双极晶体管
集电极电容
小信号模型
参数提取
异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究*
InP/InGaAs异质结双极晶体管
界面电荷
内建势
热场发射
截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管
lnP
异质结构双极晶体管
平坦化
高频
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2009,(9) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 821-827
页数 7页 分类号 TN385
字数 5200字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.09.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李献杰 中国电子科技集团公司第十三研究所 19 74 6.0 7.0
2 齐志华 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 10 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
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18-65
1976
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