两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究

• 作者: 王彤彤 王笑夷 申振峰 范镝 郑宣鸣 陈红 高劲松
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 工学
• 关键词: RB-SiC S-SiC 表面改性 粗糙度 散射 Si膜
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 3884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2009.01.026

摘要

利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC,S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析.经过表面改性,两种基底的表面粗糙度(rms)大幅地降低,镀银后的反射率有较大地提高,基底表面光学质量已满足工程应用要求.在相同工艺条件下,S-SiC基底改性后效果好于 RB-SiC基底的情况,主要是因为Si膜在两种基底表面生长情况不同所致.