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基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响
基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响
作者:
刘建军
李爱丽
石亮
闫金良
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
透明导电膜
多层膜
光学性质
电学性质
摘要:
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
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篇名
基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
透明导电膜
多层膜
光学性质
电学性质
年,卷(期)
2009,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1227-1230
页数
4页
分类号
O484.4
字数
2442字
语种
中文
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1
闫金良
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鲁东大学物理与电子工程学院
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鲁东大学物理与电子工程学院
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人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
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