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摘要:
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
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文献信息
篇名 基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 透明导电膜 多层膜 光学性质 电学性质
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1227-1230
页数 4页 分类号 O484.4
字数 2442字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫金良 鲁东大学物理与电子工程学院 25 100 5.0 8.0
2 李爱丽 鲁东大学物理与电子工程学院 6 25 4.0 4.0
3 石亮 鲁东大学物理与电子工程学院 4 12 3.0 3.0
4 刘建军 鲁东大学物理与电子工程学院 12 66 4.0 8.0
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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