一种基于90 nm工艺的10位电荷再分配型逐次逼近模数转换器IP

• 作者: 徐峰 李小珍 杨银堂 陈杉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: IP 电荷再分配 A/D转换器 CMOS 边缘电容器
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 596-600
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.027

摘要

在比较了三种不同的分段式全电容D/A结构的基础上,介绍了一种10 bit电荷再分配型逐次逼近A/D转换器IP的设计.该转换器采用UMC 90 nm SP-RVT CMOS工艺.该转换器IP的特点是采用了一种利用边缘效应的边缘电容器来代替代价昂贵的PIP和MIM电容器,提高了该IP的工艺兼容性,降低了成本.后仿真结果显示,此A/D转换器在1 Msam-ple/S的速度下,有效位数可达9.6 bit,功耗仅为500μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	徐峰		1	3	1.0	1.0
3	陈杉		1	3	1.0	1.0
4	李小珍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	13	3.0	3.0