采用0.18 μmCMOS工艺超宽带低噪声放大器的设计

• 作者: 唐旭升 汪小军 王勇 田昱 黄风义
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 低噪声放大器 并联负反馈 并联峰化 切比雪夫滤波器
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 579-582
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.023

摘要

提出了一个采用TSMC 0.18μmCMOS工艺设计的,工作频段为3.1～5.2 GHz的超宽带低噪声放大器.放大器采用了前置带通滤波器的并联负反馈共源共栅结构,并从宽带电路.高频电路器件选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计,结果表明,在整个工作频段,电路输入输出匹配S11S22均小于-14 dB,最高增益为15.92 dB,增益波动为1.13 dB,电路工作电压为1.8 V,功耗为27 mW,噪声系数NF为1.84～2.11 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田昱	东南大学信息科学与工程学院射频与光电研究所	3	8	2.0	2.0
2	黄风义	东南大学信息科学与工程学院射频与光电研究所	17	38	4.0	4.0
3	王勇	东南大学信息科学与工程学院射频与光电研究所	38	394	9.0	19.0
4	唐旭升	东南大学信息科学与工程学院射频与光电研究所	5	11	2.0	3.0
5	汪小军	东南大学信息科学与工程学院射频与光电研究所	2	5	1.0	2.0