温度自适应性DRAM刷新时钟电路

• 作者: 任明明 张昭勇 易茂祥 曾锋
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 刷新 动态存储器 温度适应性 功耗
• 年，卷（期）: 2009,（15）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 181-183
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.15.056

摘要

动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据.为降低存储器刷新过程的电路功耗,设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路.根据二极管的电流在阈值电压附近的温度特性,利用电容充放电的结构,提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路,使存储器刷新频率随电路温度变化而变化,其趋势符合动态存储器的刷新要求.仿真实验结果表明,新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下,有效地降低了其刷新过程中的功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易茂祥		109	559	12.0	19.0
2	曾锋		2	29	2.0	2.0
3	任明明		1	2	1.0	1.0
4	张昭勇		1	2	1.0	1.0