InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

• 作者: 张波 徐文兰 李为军 陆卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN 发光二极管 数值模拟 量子点模型
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3421-3426
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.085

摘要

分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	209	2133	20.0	38.0
2	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
3	徐文兰	华东师范大学信息科学技术学院	5	11	2.0	3.0
4	李为军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	8	1.0	2.0