小尺寸VDMOS阈值电压温度特性模型

• 作者: 姚进 张敏 沈克强
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 温度特性 阈值电压 短沟道效应 MEDICI
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.01.025

摘要

研究了温度对VDMOS阈值电压中各参数的影响,确定了受温度影响较大的参数.为提高模型的精确度,建立了短沟道的阈值电压温度特性模型,模型考虑到VDMOS元胞结构中的小尺寸效应.最后将250K至500K温度范围内模型的阈值电压温度特性与MEDICI的仿真结果及忽略短沟道效应的温度模型进行比较,验证了模型的准确性.