基于H桥拓扑结构的励磁电流放大器

• 作者: 刘德志 欧阳斌 翟小飞
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 励磁电流放大器 H桥拓扑结构 占空比 PI控制
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TM464
• 字数: 2418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.2009.05.019

摘要

利用H桥电路拓扑构建励磁电流放大器,该拓扑结构只需要两个IGBT功率管,结构简单,有效缩减了励磁设备的体积并降低了成本.建立了该放大器的数学模型和仿真模型,给出了相应的仿真和试验结果.仿真和试验表明,H桥拓扑结构的励磁电流放大器,具有快速动态性能,对直流电源输出电流幅值的要求低且放电速度快.该电流放大器的PWM控制信号的占空比D在0.5～0.8之间,弥补了Buck电路放电较慢和在特殊工况时PWM占空比较小的不足.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德志	海军工程大学电力电子研究所	64	680	15.0	22.0
2	翟小飞	海军工程大学电力电子研究所	25	187	10.0	13.0
3	欧阳斌	海军工程大学电力电子研究所	26	133	8.0	10.0