强流D-T中子发生器n-γ辐射场的MC模拟研究

• 作者: 姚泽恩 岳伟明 梁一 胡继峰 金孙均
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: D-T中子发生器 MCNP程序 n-γ场 中子能谱 角分布 n-γ比
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 742-746
• 页数: 5页
• 分类号: O571.53
• 字数: 2682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2009.10.006

摘要

根据D-T中子源260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布数据,建立了D-T中子源模型,在中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP模拟程序对强流中子发生器n-γ辐射场进行了模拟研究,得到了中子能谱、中子和γ角分布、n-γ比等重要参数.模拟结果与有关文献实验数据的基本吻合,验证了所建立的MCNP模拟模型的可靠合理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚泽恩	兰州大学核科学与技术学院	48	185	8.0	10.0
2	梁一	兰州大学核科学与技术学院	4	23	2.0	4.0
3	胡继峰	兰州大学核科学与技术学院	4	23	2.0	4.0
4	金孙均	兰州大学核科学与技术学院	4	23	2.0	4.0
5	岳伟明	兰州大学核科学与技术学院	3	29	2.0	3.0