半导体量子点中浸润层跃迁与纯失相对Rabi振荡退相干的影响

• 作者: 刘绍鼎 李建波 柳闻鹃 郝中华
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体量子点 Rabi振荡 退相干 纯失相
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 量子光学
• 页码范围: 1391-1396
• 页数: 6页
• 分类号: O431
• 字数: 3162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS20092905.1391

摘要

理论上分析了半导体量子点中浸润层跃迁(包括泄漏和俘获两个过程)对Rabi振荡退相干的影响,含浸润层跃迁的粒子数运动方程可以很好地拟合实验结果.同时还对比分析了纯失相(pure dephasing)对Rabi振荡退相干的影响.分析表明,可以用简单的纯失相强度相关衰减因子来等效地分析复杂的多能级跃迁体系的退相干特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘绍鼎	武汉大学物理科学与技术学院	8	12	2.0	2.0
2	柳闻鹃	湖南工业大学理学院	13	32	3.0	5.0
6	李建波	武汉大学物理科学与技术学院	4	20	2.0	4.0
7	郝中华	武汉大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0