纳米多孔硅的场致电子发射性能研究

• 作者: 童国平 蒋洪奎 蔡南科 虞献文 赵永峰 郑建龙
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 阳极氧化法 场电子发射
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 904-906,922
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右.室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流.多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	虞献文	浙江师范大学凝聚态物理研究所	5	50	3.0	5.0
2	蔡南科	浙江师范大学凝聚态物理研究所	2	2	1.0	1.0
3	蒋洪奎	浙江师范大学交通学院	28	68	5.0	6.0
4	童国平	浙江师范大学凝聚态物理研究所	33	85	6.0	8.0
5	郑建龙	浙江师范大学信息科学与工程学院	9	31	3.0	5.0
6	赵永峰	浙江师范大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0