基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
Vishay Intertechnology,Inc.发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装.具备业内最低的导通电阻。
推荐文章
第三代永磁体-钕铁硼
第三代
永磁体
材料
第三代移动通信发展热点探讨
第三代移动通信
IMT-2000
RTT
频谱分析
网络结构
系统构建
第三代农民时期农地保护问题探讨
第三代农民
农地保护
影响因素
解决办法
第三代移动通信系统WCDMA
宽带码分多址
系统结构协
议分组数据
移动IP
因特网
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 功率MOSFET 低导通电阻 第三代 通道 SO-8封装 Inc 器件
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 I0007
页数 1页 分类号 TN386.1
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2009(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
功率MOSFET
低导通电阻
第三代
通道
SO-8封装
Inc
器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导