稀释磁性半导体Cd0.9Mn0.1Te晶体的退火改性

• 作者: 介万奇 孙晓燕 张继军 郝云霄
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cd0.9Mn0.1Te晶体 点缺陷 退火 Te沉淀相 结晶质量
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 570-575
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3531字
• 语种: 中文

摘要

运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件.利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响.结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片(111)面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8'' 降至108'',红外透过率由退火前48%提升到64%,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×105 Ω·cm提高到4.49×106 Ω·cm.由此可见,对生长态的Cd0.9Mn0.1Te晶体进行退火实验能提高晶体的结晶质量,补偿晶体的Cd空位点缺陷,使晶体成分接近理想的化学计量比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	孙晓燕	西北工业大学材料学院	21	107	5.0	10.0
3	张继军	西北工业大学材料学院	4	5	1.0	2.0
4	郝云霄	西北工业大学材料学院	1	3	1.0	1.0