栅极调制纳米线的场增强因子计算

• 作者: 曾乐勇 梁静秋 王维彪 雷达
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 栅极调制纳米线 场增强因子 悬浮球
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3383-3389
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.079

摘要

利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=(1)/(2)(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β＝β0+1.202(L/d)3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁静秋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	66	389	11.0	17.0
2	王维彪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	29	91	6.0	7.0
3	雷达	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	5	17	3.0	4.0
7	曾乐勇	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	2	4	1.0	2.0