半导体三极管静电放电敏感端对实验研究

• 作者: 康洪波 王瑞军
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 三极管 静电放电 电磁脉冲 敏感端对
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 712-714
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 2375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2009.08.020

摘要

针对典型的硅微波低噪声三极管进行静电放电电磁脉冲效应实验,主要研究静电放电沿着三极管的哪个管脚组合(端对)注入时最容易造成三极管的损伤.三极管的那个部位对静电放电最为敏感.实验采用静电放电模拟器对三极管的所有管脚组合(端对)进行静电放电,每次静电放电后测量三极管主要电参数的变化情况,根据有关规定判断三极管是否损伤.实验发现,国产三极管3DG120D和日本产三极管2SC3331沿着各个管脚组合(端对)注入静电放电电磁脉冲时的损伤电压不同,沿着CB端对注入静电放电电磁脉冲时的损伤电压最小,CB端对对静电放电最为敏感.硅微波低噪声三极管对静电放电电磁脉冲最敏感的部位是集电结(CB结).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康洪波	河北建筑工程学院电气系	43	182	8.0	11.0
2	王瑞军	河北建筑工程学院数理系	5	5	2.0	2.0