p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

• 作者: 周天明 范广涵 邢海英
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN 第一性原理 居里温度(TC) 磁学性质
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3324-3330
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.071

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg＼Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si＼O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0
3	邢海英	华南师范大学光电子材料与技术研究所	7	51	4.0	7.0