栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究

• 作者: 曾传滨 李多力 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体 绝缘体上硅 闩锁 敏感区域 栅极触发 临界下降沿
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1135-1139
• 页数: 5页
• 分类号: TN306|TN304.07
• 字数: 3706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.11.022

摘要

测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压.输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线.通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
4	曾传滨	中国科学院微电子研究所	12	34	4.0	5.0