VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计

• 作者: 包军林 张婧婧 曹鹏辉 杜磊 阎家铭 陈晓东
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射 DC/DC转换器 VDMOS器件 预兆单元
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.09.002

摘要

文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元.经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	包军林	西安电子科技大学微电子学院	43	306	10.0	16.0
3	陈晓东	西安电子科技大学技术物理学院	2	1	1.0	1.0
4	张婧婧	西安电子科技大学技术物理学院	5	24	2.0	4.0
5	曹鹏辉	西安电子科技大学技术物理学院	2	1	1.0	1.0
6	阎家铭	西安电子科技大学技术物理学院	3	1	1.0	1.0