输出对CMOS反相器SEL特性的影响评估

• 作者: 师谦 汪俊 邓文基
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 单粒子闩锁 线能量传输 闩锁效应 电闩锁
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2009.02.017

摘要

文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时,CMOS反相器单粒子闩锁(SEL)特件的变化.通过对器件输出电平不同时,不同衬底的CMOS反相器进行仿真研究,我们得出,P村底器件输出为高电平时比输出为低电平时得到的闩锁电流大,而N衬底器件在输出不同时,得到的闩锁电流大小相近.对下同种衬底的器件在输出不同时对SEL的敏感性几乎相同.在深亚微米的器件中,输出对器件SEL特性的影响均较大,需要在研究器件SEL特性时把其考虑在内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓文基	华南理工大学微电子所	32	145	7.0	10.0
2	师谦		11	64	5.0	8.0
3	汪俊	华南理工大学微电子所	3	5	1.0	2.0