ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究

• 作者: 刘嘉慧 宋开颜 李大业 武鹤楠 郭连权 马贺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 第一性原理 密度泛函理论 能带 带隙
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 440-444
• 页数: 5页
• 分类号: O73
• 字数: 2674字
• 语种: 中文

摘要

本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算.得到了ZnO的能带和态密度曲线.研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1 eV处的宽度为1.1 eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9 eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭连权	沈阳工业大学理学院	25	134	7.0	10.0
2	刘嘉慧	沈阳工业大学基础教育学院	11	39	4.0	6.0
3	马贺	沈阳工业大学理学院	19	73	5.0	7.0
4	宋开颜	沈阳工业大学理学院	8	30	3.0	5.0
5	武鹤楠	沈阳工业大学理学院	6	26	2.0	5.0
6	李大业	沈阳工业大学理学院	8	29	3.0	5.0