InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究

• 作者: 任晓敏 吴强 李轶群 胡钉 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: HBT GP大信号模型 参数提取 直流特性
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 285-290
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 字数: 3635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.013

摘要

基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中.通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数.并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中.通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	59	282	10.0	12.0
4	吴强	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	32	131	6.0	9.0
5	李轶群	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	13	61	5.0	7.0
6	胡钉	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0