陶瓷基板上的集成微电感模型与制作

• 作者: 王建卫 王水弟 窦新玉 蔡坚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 陶瓷基板 集成微电感 Q值 薄膜集成
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进封装技术)
• 页码范围: 1074-1077
• 页数: 4页
• 分类号: TN409
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.11.006

摘要

对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析.由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值.同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致.测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右.