InP/GaAs异质键合界面的XPS研究

• 作者: 毛陆虹 谢生 郭维廉 陈松岩
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶片键合 X射线光电子谱 磷化铟 砷化镓
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 532-534
• 页数: 3页
• 分类号: O472.1
• 字数: 2278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.04.002

摘要

用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态.研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAs、InAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
4	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0