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AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ)
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ)
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摘要：
推荐文章
掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究
GaN
HEMT
电流崩塌效应
掺杂
AlGaN/GaN HEMT泄漏电流的退化研究
泄漏电流
退化
缺陷
热载流子效应
逆压电效应
AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
AlGaN/GaN HEMT
低温特性
饱和漏极电流
阈值电压
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
高电子迁移率晶体管
钝化
电流崩塌
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期刊影响力
半导体技术
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
开本：
大16开
出版地：
石家庄179信箱46分箱
邮发代号：
18-65
创刊时间：
1976
语种：
chi
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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