非晶丝GMI效应频率谱和锁相环电路磁场传感器

• 作者: 周立 章复中 章雷 贺红
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 巨磁阻抗效应谱 钴-铁-硅-硼非晶丝 测量电流频率 GMI磁场传感器 压控振荡器
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 9-10,51
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2009.08.004

摘要

采用HP4191A型阻抗分析仪和专门为测量非晶丝GMI效应而设计的专用装置,研究了测量电流频率钴-铁-硅-硼(Co-Fe-si-B)非晶丝GMI效应的影响.对于经冷拔、真空退火和张应力退火制成的非晶丝,当测量频率由1MHz、5 MHz、10 MHz、20 MHz、30 MHz、40 MIz…,改变到400 MHz时,GMI比值、[Z-Z0)/Z0]、对外加磁场(Hex)的关系曲线都呈现正GMI效应的特征,其峰值和曲线的最大斜率先是不断增加,直到极大值,然后下降,极大值约为60～100MHz.据此,设计了测量电流频率可变的压控振荡器电路GMI磁场传感器,在75 MHz下,传感器的磁场测量灵敏度达到0.4 mV/nT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周立		7	52	3.0	7.0
2	贺红		6	10	2.0	2.0
3	章复中		1	3	1.0	1.0
4	章雷		1	3	1.0	1.0