Zn+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

• 作者: 何庆尧 李鸿渐 石瑛 蒋昌忠 赵世荣
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: p-GaN 欧姆接触 离子注入 退火
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 946-948,952
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.06.021

摘要

首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性.Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的栽流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入.经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤.研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2.用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋昌忠	武汉大学物理科学与技术学院	43	191	9.0	11.0
2	石瑛	武汉大学物理科学与技术学院	16	128	7.0	11.0
3	李鸿渐	武汉大学物理科学与技术学院	5	61	2.0	5.0
4	赵世荣	武汉大学物理科学与技术学院	2	1	1.0	1.0
5	何庆尧	武汉大学物理科学与技术学院	2	1	1.0	1.0