半导体三极管电磁脉冲损伤功率实验研究

• 作者: 杨建光 武占成
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体三极管 方波电磁脉冲 损伤功率 损伤能量
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 611-614
• 页数: 4页
• 分类号: TM23
• 字数: 2771字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2009.07.021

摘要

针对硅微波低噪声三极管2SC3399进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下造成损伤的损伤功率表达式,通过对损伤功率进行统计分布,发现三极管损伤能量值基本符合正态分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武占成	军械工程学院静电与电磁防护研究所	87	567	12.0	18.0
2	杨建光	张家口职业技术学院基础部	9	52	4.0	7.0