MOCVD反应器中流场和热场的数值研究

• 作者: 任晓敏 王琦 钟树泉 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场
• 年，卷（期）: 2009,（21）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 3270-3277
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-009-0590-8

摘要

利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明.在此基础上,通过微扰反应器的进气量,计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为高品质外延生长工艺的设计与实施,提供了有益的解决途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清		196	987	13.0	18.0
2	任晓敏		189	942	13.0	18.0
3	黄辉		59	282	10.0	12.0
4	王琦		82	480	13.0	19.0
5	钟树泉		3	25	1.0	3.0